IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），又稱(chēng)為絕緣閘極雙極性電晶體。

IGBT歸類(lèi)在功率半導體元件的電晶體領(lǐng)域。

功率半導體元件（電晶體領(lǐng)域）除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來(lái)作為半導體開(kāi)關(guān)。

IGBT是一種適合高電壓、大電流應用的理想晶體管。IGBT的額定電壓范圍為400V至2000V，額定電流范圍為5A至1000A，IGBT廣泛用于工業(yè)應用（例如，逆變器系統和不間斷電源（UPS））、消費類(lèi)應用（例如，空調和電磁爐），以及車(chē)載應用（例如，電動(dòng)汽車(chē)（EV）電機控制器）。

IGBT大約占電機驅動(dòng)系統成本的一半，占到整車(chē)成本的5％，是整部電動(dòng)車(chē)成本第二高的元件（成本第一高的是電池）。毫不夸張地說(shuō)，這就是電動(dòng)車(chē)領(lǐng)域的“核心技術(shù)”。

從結構上講，IGBT主要有三個(gè)發(fā)展方向：

1、IGBT縱向結構：非透明集電區NPT型、帶緩沖層的PT型、透明集電區NPT型和FS電場(chǎng)截止型；

2、IGBT柵極結構：平面柵機構、Trench溝槽型結構；

3、硅片加工工藝：外延生長(cháng)技術(shù)、區熔硅單晶；

按照封裝工藝來(lái)看，IGBT模塊主要可分為焊接式與壓接式兩類(lèi)。高壓IGBT模塊一般以標準焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現了很多新技術(shù)，如燒結取代焊接，壓力接觸取代引線(xiàn)鍵合的壓接式封裝工藝。

隨著(zhù)IGBT芯片技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片的最高工作結溫與功率密度不斷提高，IGBT模塊技術(shù)也要與之相適應。未來(lái)IGBT模塊技術(shù)將圍繞“芯片背面焊接固定”與“正面電極互連”兩方面改進(jìn)。

IGBT的主要應用領(lǐng)域

作為新型功率半導體器件的主流器件，IGBT已廣泛應用于工業(yè)、4C（通信、計算機、消費電子、汽車(chē)電子）、航空航天、國防軍工等傳統產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及軌道交通、新能源、智能電網(wǎng)、新能源汽車(chē)等戰略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。

1、新能源汽車(chē)

IGBT模塊在電動(dòng)汽車(chē)中發(fā)揮著(zhù)至關(guān)重要的作用，是電動(dòng)汽車(chē)及充電樁等設備的核心技術(shù)部件。IGBT模塊占電動(dòng)汽車(chē)成本將近10％，占充電樁成本約20％。IGBT主要應用于電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域中以下幾個(gè)方面：

電動(dòng)控制系統大功率直流／交流（DC／AC）逆變后驅動(dòng)汽車(chē)電機。

車(chē)載空調控制系統小功率直流／交流（DC／AC）逆變，使用電流較小的IGBT和FRD。

充電樁智能充電樁中IGBT模塊被作為開(kāi)關(guān)元件使用。

2、智能電網(wǎng)

IGBT廣泛應用于智能電網(wǎng)的發(fā)電端、輸電端、變電端及用電端：

從發(fā)電端來(lái)看，風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電中的整流器和逆變器都需要使用IGBT模塊。

從輸電端來(lái)看，特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術(shù)需要大量使用IGBT等功率器件。

從變電端來(lái)看，IGBT是電力電子變壓器（PET）的關(guān)鍵器件。

從用電端來(lái)看，家用白電、微波爐、LED照明驅動(dòng)等都對IGBT有大量的需求。

3、軌道交通

IGBT器件已成為軌道交通車(chē)輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力電子器件。交流傳動(dòng)技術(shù)是現代軌道交通的核心技術(shù)之一，在交流傳動(dòng)系統中牽引變流器是關(guān)鍵部件，而IGBT又是牽引變流器最核心的器件之一。

海外大廠(chǎng)占據主要市場(chǎng)，中國企業(yè)追趕空間大

IGBT市場(chǎng)英飛凌市占率全面領(lǐng)先，2020年斯達半導躋身IGBT模塊市場(chǎng)前六。根據Omdia數據，2020年IGBT分立器件市場(chǎng)及IGBT模塊市場(chǎng)規模前三的企業(yè)均為英飛凌、富士電機及三菱。其中英飛凌IGBT市場(chǎng)市占率全面領(lǐng)先，IGBT分立器件和IGBT模塊的市占率分別為29.3%和36.5%。

在IGBT分立器件市場(chǎng)中，中國企業(yè)士蘭微進(jìn)入全球前十，2020年市場(chǎng)份額為2.6%；在IGBT模塊市場(chǎng)中，2020年斯達半導躋身全球第六，市場(chǎng)份額為3.3%。

預計2025年我國新能源汽車(chē)IGBT市場(chǎng)規?；驅⑦_到385億元，2019-2025年CAGR達到33.8%。根據國際清潔交通委員會(huì )預測，2025年新能源汽車(chē)成本平均保持在13800-17600美元之間（取均值16150美元），2030年新能源汽車(chē)成本平均保持在12100-16500美元之間（取均值14300美元）。若按照IGBT模塊占整車(chē)成本約4%計算，2025年我國新能源汽車(chē)IGBT市場(chǎng)規?；驅⑦_到385億元，2019-2025年CAGR達33.8%。2030年我國新能源汽車(chē)IGBT市場(chǎng)規?；驅⑦_到575億元，2019-2030年CAGR達21.6%。